Отримання кластерів нітриду галію для передавання інформації в оптоелектронних лініях зв’язку

DOI: 10.31673/2412-9070.2023.048090

Анотація

Запропоновано метод отримання світловипромінюючих кластерів нітриду галію (GaN) на підкладках з поруватого арсеніду галію (GaAs) шляхом обробки підкладки атомами азоту із азотної ВЧ плазми. Вивчено морфологічні та люмінісцентні властивості отриманих структур. Наведено обґрунтування можливості використання світловипромінюючих кластерів GaN для виготовлення світлодіодів та застосування останніх в оптоелектронних лініях зв’язку. Встановлено, що фотолюмінесцентні властивості кластерів GaN залежать від пористості підкладки GaAs та геометричних розмірів сформованих кластерів.

Ключові слова: нітрид галію; пористий GaAs; спектри фотолюмінісценції; оптоелектронні лінії зв’язку.

Список використаної літератури
1. Дудин С. В. Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств // Физическая инженерия поверхности. 2006. Т. 4, № 1–2. С. 117–123.
2. Komarovskikh N. V., Fomina L. V., Beznosyuk
S. A. Computer Modeling the Gallium Nitride Nanofilms on the Substrate of Gallium Arsenide// Сhemistry. 2015. Vol. 4. P 163–168.
3. Photoluminescent and structural properties of GaN thin films obtained by radical-beam gettering epitaxy on porous GaAs (0 0 1) / V. V. Kidalov, G. A. Sukach, A. O. Petukhov [et al.] // Journal of luminescence. 2003. Vol. 102. P. 712–714.
4. Сімченко С. В. Нанотекстуровані квантові приймачі для оптоволоконних ліній зв’язку // II Міжнар. наук.-техн. конф. «Системи і технології зв’язку, інформатизації та кібербезпеки: актуальні питання і тенденції розвитку». Київ 01.12.2022. С. 192–193.
5. Окисление водорода на палладии: метод хемотоков в нанодиоде Шоттки / Д. В. Гранкин, В. В. Стыров, С. В. Симченко и др. // Журнал физической химии. 2017. Т. 91, № 2. С. 297–303.