Obtaining gallium nitride cluster for information transmission in optoelectronic communication lines

DOI: 10.31673/2412-9070.2023.048090

Abstract

The paper proposes a method for obtaining light-emitting clusters of gallium nitride (GaN) on porous gallium arsenide (GaAs) substrates by treating the substrate with nitrogen atoms from a nitrogen RF plasma. The morphological and luminescent properties of the obtained structures were studied. Reasons for the possibility of using light-emitting GaN clusters for the manufacture of LEDs and their use in optoelectronic communication lines are provided. It was established that the photoluminescent properties of GaN clusters depend on the porosity of the GaAs substrate and the geometric dimensions of the formed clusters.

Keywords: gallium nitride; porous GaAs; photoluminescence spectra; optoelectronic communication lines.

References
1. Дудин С. В. Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств // Физическая инженерия поверхности. 2006. Т. 4, № 1–2. С. 117–123.
2. Komarovskikh N. V., Fomina L. V., Beznosyuk
S. A. Computer Modeling the Gallium Nitride Nanofilms on the Substrate of Gallium Arsenide// Сhemistry. 2015. Vol. 4. P 163–168.
3. Photoluminescent and structural properties of GaN thin films obtained by radical-beam gettering epitaxy on porous GaAs (0 0 1) / V. V. Kidalov, G. A. Sukach, A. O. Petukhov [et al.] // Journal of luminescence. 2003. Vol. 102. P. 712–714.
4. Сімченко С. В. Нанотекстуровані квантові приймачі для оптоволоконних ліній зв’язку // II Міжнар. наук.-техн. конф. «Системи і технології зв’язку, інформатизації та кібербезпеки: актуальні питання і тенденції розвитку». Київ 01.12.2022. С. 192–193.
5. Окисление водорода на палладии: метод хемотоков в нанодиоде Шоттки / Д. В. Гранкин, В. В. Стыров, С. В. Симченко и др. // Журнал физической химии. 2017. Т. 91, № 2. С. 297–303.