Увеличение срока службы НЕ-И флеш-памяти

Abstract

Предлагается устройство доступа, которое позволяет уменьшить время обработки, необходимое для изменения очищаемых блоков, а также формат хранения данных в полупроводниковой памяти, который позволяет увеличить ее срок службы. Важным элементом устройства доступа является полупроводниковая память, которая содержит область, состоящую из множества секторов, и оперирует данными в каждой группе секторов как кластером и одним или несколькими кластерами как файлом. Показано, что модель уровней полупроводниковой памяти не отличается от модели уровней для магнитного или оптического диска и предусматривает наличие физического уровня, уровня файловой системы и уровня приложений.

Ключевые слова: инструментальные средства; НЕ-И флеш-память; управление плохими блоками; уровневый алгоритм.